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NTD30N02
2500
C iss
V DS = 0 V
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
2000
1500
1000
500
C rss
C iss
C oss
C rss
0
10
5
V GS
0
V DS
5
10
15
20
25
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
5
4
3
V DS
Q 1
Q T
Q 2
V GS
20
16
12
1000
100
V DS = 20 V
I D = 30 A
V GS = 10 V
t f
t d(off)
2
1
I D = 30 A
V DS = 20 V
V GS = 4.5 V
T J = 25 ° C
8
4
10
t d(on)
t r
0
0
4
8
12
16
0
1
1
10
100
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and Drain ? to ? Source
Voltage versus Total Charge
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation versus Gate Resistance
DRAIN ? TO ? SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
15
12
9
6
3
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus Current
http://onsemi.com
4
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